Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

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Patent

Lotdepottraeger

2007 , Wolf, J. , Chmiel, G.

A solder storage carrier consists of metallic coating (12) on a substrate (11) with a mask (13) with openings (14) to receive the solder deposit (16). The coating consists of two layers of different material, the first (15) being a current-conducting layer (15) and the second (17) a non-wetting layer. The layer (15) is made of Cu (alloy) and the layer (17) of Ti (alloy). The cross-sectional area of the openings in the mask determine the max. cross-section of the solder deposits. By inverting the carrier over a substrate (21) to be coated, the solder deposits are transferred to produce the solder spots (22). USE - In selective coating of substrates to produce connection sites. ADVANTAGE - Enables the selective coating of large area substrates.

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Verfahren zum Herstellen von Leiterstrukturen

2006 , Beier, W. , Roehrs, G. , Scheel, W. , Filor, U. , Stork, M.

Ein bildmaessig strukturiertes Druckklischee wird auf einem Plattenzylinder 6, 16 jeder der beiden Druckwerke 2, 3 einer Druckeinrichtung 1 aufgespannt. Auf das Druckklischee wird ein Druckmedium aufgetragen, das ueber eine Gummituchwalze 7, 17 auf einen Druckzylinder 8, 18 als Leiterbild uebertragen wird. Die Druckzylinder der beiden Druckwerke, die einen Spalt 38 bilden, durch den einzelne starre Substrate 14, 14 oder eine flexible Substratbahn 24 hindurchlaufen, bedrucken die metallisierten Vorder- und Rueckseiten der Substrate bzw. der Substratbahn mit den Leiterbildern.

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Hybrider, organischer Feldeffekttransistor mit oberflaechenmodifiziertem Kupfer als Source- und Drain-Elektrode

2006 , Burghart, M. , Hammerl, E.

Die Erfindung bezieht sich auf einen organischen Feldeffekttransistor sowie auf ein Herstellungsverfahren fuer einen solchen Feldeffekttransistor. Dieser weist eine Substratbasis 1, eine Gate-Elektrode 6 sowie eine Source- und eine Drain-Elektrode 2, 3 auf und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Source-Elektrode 2 und die Drain-Elektrode 3 aus Kupfer bestehen und dass der an den organischen Halbleiterbereich 4 des Feldeffekttransistors angrenzende Elektrodenoberflaechenbereich 2b, 3b aus oberflaechenmodifiziertem Kupfer ausgebildet ist.

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Brennstoffzellensystem

2006 , Holl, K. , Kreidler, B. , Krebs, M. , Ilic, D. , Wagner, S. , Hahn, R.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein System zur Versorgung eines Verbrauchers mit elektrischer Energie, umfassend - mindestens eine Brennstoffversorgungseinheit (9), die bei Durchfluss eines elektrischen Stroms einen gasfoermigen Brennstoff freisetzt, und - mindestens eine Brennstoffzelleneinheit, in der der freigesetzte gasfoermige Brennstoff unter Stromerzeugung mit einem Oxidationsmittel umsetzbar ist. Bei der Brennstoffversorgungseinheit handelt es sich vorzugsweise um eine Gasentwicklungszellen.

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Mikrobrennstoffzellensystem sowie Verfahren zu seiner Herstellung

2007 , Hahn, R. , Hebling, C. , Schmitz, A.

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Verfahren zur Uebertragung von Bauelementen auf eine Oberflaeche

2006 , Jung, E.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Uebertragung von Bauelementen, bei dem Bauelemente (6), insbesondere elektrische Bauelemente oder elektrische Kontaktierelemente, ueber einer Oberflaeche (11) positioniert und auf die Oberflaeche (11) uebertragen werden. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die zu uebertragenden Bauelemente (6), die Dimensionen in der Groessenordnung von 0,5 mm oder kleiner aufweisen, durch Verwendung elektrofotografischer Methoden mit einer Genauigkeit von bis zu 1 ?m positioniert und auf eine Oberflaeche (11) uebertragen werden koennen.

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Verfahren zur Erfassung von lokalen Eigenspannungen in Festkoerperobjekten mit einer Ionenstrahltechnik

2006 , Auersperg, J. , Lieske, D. , Keller, J. , Vogel, D. , Michel, B. , Gollhardt, A. , Dost, M.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erfassung lokaler Eigenspannungen in Festkoerperobjekten, bei dem mit einem Ionenstrahl eine Materialmanipulation am Festkoerperobjekt vorgenommen wird, die zu einer lokalen Umverteilung von Spannungs- und/oder Dehnungsverhaeltnissen im Festkoerperobjekt fuehrt. Mit dem Ionenstrahl wird hierbei eine Struktur erzeugt, die in zumindest einer Dimension Abmessungen im Mikrometer- oder Nanobereich aufweist. Vor und nach der Materialmanipulation werden mikroskopische Aufnahmen des von der Materialmanipulation betroffenen Oberflaechenbereiches des Festkoerperobjektes gemacht. Aus einem Vergleich der Aufnahmen werden durch die Eigenspannungen verursachte Deformationsfelder an der Oberflaeche des Festkoerperobjektes bestimmt, aus denen die Eigenspannungen abgeleitet werden koennen. Das Verfahren ermoeglicht eine genaue Bestimmung lokaler Eigenspannungen im Mikro- und Nanobereich.

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Fokalflaeche und Detektor fuer optoelektronische Bildaufnahmesysteme, Herstellungsverfahren und optoelektronisches Bildaufnahmesystem

2007 , Ansorge, F. , Craubner, S. , Feil, M. , Platz, W. , Riedel, H.

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Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer elektrischen Kontaktierung zwischen zwei Halbleiterstuecken durch ein mechanisches Element

2006 , Hacker, E.

Eine elektrische Kontaktierung zwischen einem ersten Halbleiterstueck und einem zweiten Halbleiterstueck wird erzeugt, indem das erste Halbleiterstueck mit einer ersten Anschlussflaeche sowie einem Stift erzeugt wird, der sich in einer Ausnehmung des ersten Halbleiterstuecks erstreckt, auf der sich die erste Anschlussflaeche befindet. Ferner wird das zweite Halbleiterstueck mit einer zweiten Anschlussflaeche vorbereitet. Das erste Halbleiterstueck und der zweite Wafer werden aufeinander gesetzt, so dass sich die erste Anschlussflaeche und die zweite Anschlussflaeche gegenueberliegen. Daraufhin wird auf den Stift durch einen Praegestempel ein Druck ausgeuebt, um eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Anschlussflaeche und der zweiten Anschlussflaeche herzustellen.

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Substratbauteil mit eingebettetem Lichtwellenleiter und Strahlumlenkung und Verfahren zu dessen Herstellung

2006 , Bauer, J. , Beier, A. , Beil, P. , Demmer, P. , Ebling, F. , Franke, M. , Guenther, P. , Happel, T. , Kostelnik, J. , Moedinger, R. , Park, H. , Schroeder, H.

(B3) Die Erfindung betrifft ein Substratbauteil (11) mit einem eingebetteten Lichtwellenleiter (16), der ueber eine Vertiefung (19) in der Montageseite (18) des Substratbauteils zugaenglich ist. Diese Vertiefung steht fuer eine Strahlumlenkung in Richtung der Montageseite (18) zur Verfuegung. Erfindungsgemaess ist vorgesehen, dass ein Strahlumlenkelement (14) in der Vertiefung (19) aktiv justiert wird, d. h., dass waehrend der Ausrichtung des Strahlumlenkelementes (14) die Uebertragung von Lichtsignalen zwischen den Lichtleitern (25, 16) und (16) von Strahlumlenkelement (14) und optischer Lage des Substratbauteils (11) ueberprueft wird, bevor eine Fixierung des Strahlumlenkelementes (14) durch ein Giessharz (20) erfolgt. Weiterhin erfindungsgemaess weist das Strahlumlenkelement eine Justagevorrichtung (29) fuer ein elektrooptisches Bauteil (12) auf, so dass dieses passiv, d. h. ohne Kontrolle der Lichtuebertragung ausgerichtet werden kann.

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