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Fraunhofer-Gesellschaft
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Patent
Title

Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer elektrischen Kontaktierung zwischen zwei Halbleiterstuecken durch ein mechanisches Element

Other Title
Production of an electrical contact between semiconductor parts comprises placing one part next to the other part so that their connecting surfaces lie opposite each other and exerting a pressure on the pin of one part to form the contact.
Abstract
Eine elektrische Kontaktierung zwischen einem ersten Halbleiterstueck und einem zweiten Halbleiterstueck wird erzeugt, indem das erste Halbleiterstueck mit einer ersten Anschlussflaeche sowie einem Stift erzeugt wird, der sich in einer Ausnehmung des ersten Halbleiterstuecks erstreckt, auf der sich die erste Anschlussflaeche befindet. Ferner wird das zweite Halbleiterstueck mit einer zweiten Anschlussflaeche vorbereitet. Das erste Halbleiterstueck und der zweite Wafer werden aufeinander gesetzt, so dass sich die erste Anschlussflaeche und die zweite Anschlussflaeche gegenueberliegen. Daraufhin wird auf den Stift durch einen Praegestempel ein Druck ausgeuebt, um eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Anschlussflaeche und der zweiten Anschlussflaeche herzustellen.

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DE1004056970 A UPAB: 20060623 NOVELTY - Production of an electrical contact between a first semiconductor part (100) and a second semiconductor part (102) comprises placing the first semiconductor part next to the second semiconductor part so that their connecting surfaces (118, 128) lie opposite each other and exerting a pressure on the pin (112) of the first part to form an electrical connection between the connecting surfaces. In the pressure exertion step a pressure is exerted onto a mechanical element which is separated from the first part. The mechanical element is arranged with respect to the pin in such a way that it is moved by the pressure to form an electrical connection between the connecting surfaces. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device for producing an electrical contact between a first semiconductor part and a second semiconductor part. USE - For forming an electrical contact between a wafer and a chip. ADVANTAGE - Good electrical contact is achieved.
Inventor(s)
Hacker, E.
Link to Espacenet
http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=worldwide.espacenet.com&locale=en_EP&FT=D&CC=DE&NR=102004056970A
Patent Number
102004056970
Publication Date
2006
Language
German
Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM  
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