Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

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  • Patent
    Verfahren zur Handhabung einer Mehrzahl von Schaltungschips
    ( 2002)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    ;
    Landesberger, C.
    Bei einem Verfahren zur parallelen Handhabung einer Mehrzahl von Schaltungschips, die in einer ersten Anordnung, die der Anordnung derselben im urspruenglichen Waferverbund entspricht, auf der Oberflaeche eines Hilfstraegers angeordnet sind, wird die Mehrzahl von integrierten Schaltungschips durch eine Mehrzahl von Aufnahmeeinrichtungen aufgenommen. Die Mehrzahl von Aufnahmeeinrichtungen mit den aufgenommenen Schaltungschips wird gleichzeitig zu einem oder mehreren Traegern bewegt, derart, dass gleichzeitig mit der Bewegung die erste Anordnung der Schaltungschips in eine zweite, von der ersten Anordnung verschiedene Anordnung geaendert wird. Dann werden die Schaltungschips in der zweiten Anordnung auf dem oder den Traegern plaziert.
  • Patent
    Transpondermodul und Verfahren zur Herstellung desselben
    ( 2002)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    Ein Transpondermodul, insbesondere fuer ein elektronisches Etikett, umfasst eine aus einem isolierenden Material bestehende Schicht, die als einziges Traegersubstrat vorgesehen ist. Auf einer ersten Hauptoberflaeche des Traegersubstrats ist eine Antenneneinrichtung gebildet. In einer Ausnehmung des Traegersubstrats ist ein ungehaeuster Schaltungschip derart angeordnet, dass eine erste Hauptoberflaeche des Schaltungschips im wesentlichen buendig zu der ersten Hauptoberflaeche des ersten Traegersubstrats ist. Elektrische Verbindungseinrichtungen zwischen dem Schaltungschip und der Antenneneinrichtung sind vorgesehen. Dieses Transpondermodul weist eine extrem geringe Dicke auf. Eine Mehrzahl von Verfahren kann verwendet werden, um ein derartiges Transpondermodul herzustellen.
  • Patent
    Verfahren zur Fertigung von duennen Substratschichten und eine dafuer geeignete Substratanordnung
    ( 2001)
    Haberger, K.
    ;
    Plettner, A.
    (A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Fertigung von sehr duennen Substratschichten, insbesondere duennen Halbleiterbereichen, die integrierte Schaltungen enthalten koennen. Bei dem Verfahren werden zwei Substrate mit ihren Vorderseiten ueber eine oder mehrere dazwischenliegende Verbindungsschichten verbunden. Zumindest eine der Verbindungsschichten oder die Vorderseite eines der Substrate wird vorher derart strukturiert, dass kanalfoermige Vertiefungen gebildet werden, die ein seitliches Eindringen eines Aetzmittels ermoeglichen. Der resultierende Waferstapel wird von einer Seite bis auf die gewuenschte Schichtdicke geduennt. Schliesslich wird diese duenne Schicht vom restlichen Substrat durch Einbringen des Aetzmittels in die kanalfoermigen Vertiefungen abgeloest. Bei diesem Abloesevorgang handelt es sich um einen preisguenstigen, nasschemischen Prozess, der den Chip und die auf ihm integrierte Wertschoepfung nicht gefaehrdet.
  • Patent
    Schaltungschip mit spezifischer Anschlussflaechenanordnung
    ( 2000)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    Ein Schaltungschip besteht aus einem halbleitenden Substrat mit einer Vorderseite und einer Rueckseite, wobei in der Vorderseite des halbleitenden Substrats eine integrierte Schaltung mit einer Mehrzahl von Bauelementen definiert ist. Der Schaltungschip weist ferner zumindest zwei Anschlussflaechen zur Kontaktierung von Anschluessen der integrierten Schaltung auf, wobei zumindest eine der Anschlussflaechen auf der Vorderseite des halbleitenden Substrats und zumindest eine der Anschlussflaechen auf der Rueckseite des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Vorzugsweise weist die integrierte Schaltung zumindest zwei zur Signaleinkopplung oder Signalauskopplung dienende und ohne Beeintraechtigung der Funktion der integrierten Schaltung vertauschbare Anschluesse auf, wobei einer derselben mit der auf der Vorderseite angeordneten Anschlussflaeche verbunden ist, waehrend ein anderer derselben mit der auf der Rueckseite angeordneten Anschlussflaeche verbunden ist.
  • Patent
    Verfahren zur Herstellung eines Transponders
    ( 2000)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    ;
    Feil, M.
    Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Transponders wird zunaechst ein Traegersubstrat mit einer Spulenmetallisierung mit einem ersten und einem zweiten Anschlussende auf einer ersten Hauptoberflaeche desselben bereitgestellt, Ein Schaltungschip mit einer ersten und einer zweiten Anschlussflaeche wird auf die erste Hauptoberflaeche des Traegersubstrats aufgebracht. Vor oder nach dem Aufbringen des Schaltungschips wird eine isolierende Folie auf die erste Hauptoberflaeche des Traegersubstrats auflaminiert, derart, dass die beiden Anschlussenden der Spulenmetallisierung und die beiden Anschlussflaechen des Schaltungschips freibleiben. Abschliessend wird eine elektrisch leitfaehige Verbindung zwischen dem ersten Anschlussende der Spulenmetallisierung und der ersten Anschlussflaeche des Schaltungschips und zwischen dem zweiten Anschlussende der Spulenmetallisierung und der zweiten Anschlussflaeche des Schaltungschips erzeugt. Alternativ wird ein Schaltungschip verwendet, der eine Anschlussflaeche auf einer ersten Hauptoberflaeche desselben und eine Anschlussflaeche auf einer gegenueberliegenden zweiten Hauptoberflaeche desselben aufweist.
  • Patent
    Verfahren zur Herstellung eines Mikrotransponders
    ( 2000)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Mikrotransponders wird zunaechst eine Antennenmetallisierung mit einem ersten und einem zweiten Anschlussende auf ein Traegersubstrat aufgebracht, um ein erstes Modul zu bilden. Eine Verbindungsmetallisierung wird auf eine flexible Traegerfolie aufgebracht, woraufhin ein Schaltungschip mit einer ersten und einer zweiten Anschlussflaeche auf die Verbindungsmetallisierung aufgebracht wird, derart, dass zumindest die erste Anschlussflaeche des Schaltungschips mit der Verbindungsmetallisierung elektrisch leitfaehig verbunden wird. Die flexible Traegerfolie mit dem darauf angebrachten Schaltungschip stellt ein zweites Modul dar. Das erste und das zweite Modul werden nachfolgend derart verbunden, dass die Verbindungsmetallisierung mit dem ersten Anschlussende der Antennenmetallisierung elektrisch leitfaehig verbunden wird, und das die zweite Anschlussflaeche des Schaltungschips mit dem zweiten Anschlussende der Antennenmetallisierung elektrisch leitfaehig verbunden wird. Abschliessend werden Randbereiche der flexiblen Traegerfolie mit benachbarten Bereichen des Traegersubstrats verbunden, um zumindest den Schaltungschip einzukapseln.
  • Patent
    Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Traeger
    ( 2000)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    ;
    Landesberger, C.
    Bei einem Verfahren zum Aufbringen eines auf ein Hilfssubstrat aufgebrachten Schaltungschips auf ein Schaltungssubstrat wird zunaechst der auf das Hilfssubstrat aufgebrachte Schaltungschip bereitgestellt. Nachfolgend wird ein Schaltungssubstrat, auf oder in das der Schaltungschip aufgebracht werden soll, an der von dem Hilfssubstrat abgewandten Oberflaeche des Schaltungschips positioniert, indem eine Positionsaenderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgefuehrt wird. Der Schaltungschip wird nachfolgend von dem Hilfssubstrat abgeloest und auf das Schaltungssubstrat aufgebracht. Abschliessend wird das Schaltungssubstrat mit dem Schaltungschip von dem Hilfssubstrat entfernt, indem wiederum eine Positionsaenderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgefuehrt wird.
  • Patent
    Transpondervorrichtung mit einer Einrichtung zum Schutz vor elektromagnetischen Stoerfeldern
    ( 2000)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    Eine Transpondervorrichtung besteht aus einem Schaltungschip, der eine integrierte Schaltung aufweist, die einen Transponderschaltkreis definiert, und einem Traegersubstrat, das den Schaltungschip traegt und auf dem eine mit Anschluessen des Schaltungschips verbundene Antennenmetallisierung zur Energieversorgung und Datenuebertragung angeordnet ist. Eine Schutzeinrichtung zum Schutz des Transponderschaltkreises vor elektromagnetischen Stoerfeldern ist auf dem Traegersubstrat vorgesehen.
  • Patent
    Schaltungschip mit Lichtschutz
    ( 2000)
    Plettner, A.
    ;
    Haberger, K.
    Ein Schaltungschip besteht aus einem halbleitenden Substrat mit einer Vorderseite und einer Rueckseite, wobei in der Vorderseite eine integrierte Schaltung definiert ist. Auf der Vorderseite ist eine Lichtschutzschicht zumindest ueber Bereiche, in den aktive Elemente der integrierten Schaltung definiert sind, vorgesehen, wobei die Lichtschutzschicht aus Metall, einem Halbleitermaterial, das einen geringeren Bandabstand als Silizium aufweist, oder einem hochleitfaehigen Silizid gebildet ist. Bei einem Transpondermodul, bei dem ein Schaltungschip in eine Oberflaeche eines Isolationssubstrats eingefuehrt ist, auf der eine strukturierte Metallisierung vorgesehen ist, die eine Antenneneinrichtung definiert, ist die strukturierte Metallisierung derart ausgebildet, dass sie den Schaltungschip zumindest in Bereichen, in denen aktive Elemente der integrierten Schaltung definiert sind, vollstaendig ueberlappt, so dass die Metallisierung als Lichtschutzschicht wirksam ist. Somit ist ein ultraflacher Aufbau sowohl des Schaltungschips als auch des Transpondermoduls durch die Verwendung einer Metallisierungsschicht als Lichtschutzschicht moeglich.
  • Patent
    Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise
    ( 1999)
    Haberger, K.
    ;
    Plettner, A.
    NOVELTY - The production method has integrated circuits formed in the surface of a semiconductor substrate (3) before modification of the substrate material in a layer (7) beneath the surface layer, with subsequent separation of the surface layer containing the integrated circuits from the modified underlying layer by heating the latter. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM for a method for production of components containing solar cells, micromechanical actuators and/or sensors is also included. USE - The production method is used to provide integrated circuits on thin semicnductor layers using traditional semiconductor wafers as the starting material, e.g. for silicon CMOS technology. ADVANTAGE - The production method allows the substrate used as the starting material to be re-used and enables individual chips to be detached from a semiconductor wafer. DESCRIPTION OF DRAWING(S) - The figures show cross-sections through a semiconductor wafer during a CMOS process. Semiconductor substrate 3 Modified substrate layer 7