• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Konferenzschrift
  4. Device Design and Process Integration of SiC Trench MOSFETs
 
  • Details
  • Full
Options
2021
Presentation
Title

Device Design and Process Integration of SiC Trench MOSFETs

Title Supplement
Presentation held at 5th International Symposium on SiC Materials and Devices 2021, November 25, 2021, Busan, Korea
Author(s)
Lim, Minwho  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Rusch, Oleg  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Erlbacher, Tobias  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Bauer, Anton
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Conference
International Symposium on SiC Materials and Devices 2021  
File(s)
Download (2.48 MB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-413220
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024