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Konferenzschrift
Device Design and Process Integration of SiC Trench MOSFETs
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2021
Presentation
Title
Device Design and Process Integration of SiC Trench MOSFETs
Title Supplement
Presentation held at 5th International Symposium on SiC Materials and Devices 2021, November 25, 2021, Busan, Korea
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Author(s)
Lim, Minwho
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Rusch, Oleg
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Erlbacher, Tobias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Bauer, Anton
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Conference
International Symposium on SiC Materials and Devices 2021
DOI
10.24406/publica-fhg-413220
File(s)
N-643869.pdf (2.48 MB)
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Rights
Under Copyright
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB