Technologieentwicklung für optimiertes MEMS Packaging durch Si-TSV-Rückseitenkontaktierung

Dieser Beitrag beschreibt eine neuartige Technologie zur Realisierung von vertikalen elektrischen Durchführungen, die als elektrisch leitende Durchführung Silizium-Stempel benutzt, welche durch einen Luftspalt vom umgebenden Silizium isoliert sind. Diese Art von Si-Durchkontakten (though silicon vias - TSVs) ermöglicht neben den elektrischen und mechanischen Integrationsmöglichkeiten des MEMS eine gleichzeitige Verringerung der Größe des Sensorchips. Die Technologieentwicklung und -anpassung für die hochpräzisen Beschleunigungssensoren stehen hier im Vordergrund. Es wird gezeigt, dass strukturiertes Aufbringen (pattern plating) einer Bondgrundierung (under-bump-metallization - UBM) sowie das folgende Siliziumtiefenätzen der Rückseitenkontakte möglich ist. Somit steht eine Technologie zur Verfügung, die vollständig in MEMS-Fertigungstechnologie integrierbar ist.