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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Herstellung und Integration von piezoelektrischen Pb(ZrxTi1-x)O3-Schichten außerordentlicher Schichtdicke für die Erschließung neuer Anwendungsgebiete
 
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2015
Conference Paper
Title

Herstellung und Integration von piezoelektrischen Pb(ZrxTi1-x)O3-Schichten außerordentlicher Schichtdicke für die Erschließung neuer Anwendungsgebiete

Abstract
Das sogenannte Gasflusssputtern ist ein vielversprechendes und vielseitiges Abscheideverfahren, weil es die Deposition von Schichten mit einer Schichtstruktur von stark kolumnar bis überaus kompakt erlaubt. Dieses weite Spektrum an Eigenschaften wurde für die Optimierung von piezoelektrischen Pb(ZrxTi1-x)O3-Schichten mit einer ausgeprägten Säulenstruktur und einer damit einhergehenden lateralen Schichtentkopplung genutzt. Die bis zu 30 µm dicken Schichten zeichnen sich durch ungewöhnlich hohe longitudinale, piezoelektrische Ladungskonstanten von d33,f ~500 pm/V aus. Basierend auf diesen PZT-Schichten wird ein MEMS-kompatibler Fertigungsprozess für die Herstellung von im Dickenmode oszillierenden, hochfrequenten Ultraschallwandlern und Ergebnisse der Charakterisierung dieser vorgestellt.
Author(s)
Kaden, D.
Quenzer, H.-J.
Wagner, B.
Kößler, D.
Sichelschmidt, J.
Jakob, A.
Jung, T.
Tiefensee, F.
Mainwork
MEMS, Mikroelemente, Systeme. Proceedings CD-ROM  
Conference
MikroSystemTechnik Kongress 2015  
Language
German
Fraunhofer-Institut für Biomedizinische Technik IBMT  
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT  
Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik IST  
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