Effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik

Wir zeigen Ergebnisse von Galliumnitrid-basierten Hochvolttransistoren für die Leistungselektronik. Die statischen und dynamischen Eigenschaften der Transistoren auf Silizium-Substraten werden untersucht. Diese Technologie zeigt Durchbruchspannungen von 1000 V und Ausgangströme von knapp 100 A sowie ein deutlich kleineres Produkt von Einschaltwiderstand und Gateladung als bisherige si-basierte Bauelemente. Dadurch können GaN-Transistoren bei deutlich höheren Taktfrequenzen betrieben werden, was das Gesamtsystem kleiner, leichter und kostengünstiger macht.