Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM

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Patent

Implantat zur lokalen Stimulierung von Muskel- und Nervenzellen

2003 , Haberger, K.

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur lokalen Stimulierung von Muskel- und Nervenzellen. Diese Vorrichtung wird in das Muskel- bzw. Nervengewebe implantiert und erzeugt dort lokal ein zeitlich veraenderbares Magnetfeld. Dieses Magnetfeld stimuliert ueber die durch magnetische Induktion erzeugte Spannung die Muskel- oder Nervenzellen. Das Implantat setzt sich zusammen aus einem Kern aus magnetischem Material hoher Permeabilitaet und einer Spule, die zumindest um einen Teil des Kerns gewickelt ist. Desweiteren wird ein Verfahren zum Anlegen einer geeigneten Impulsform an das Implantat zur Stimulierung des Nervengewebes gezeigt. Dabei wird das nichtlineare Verhalten von Nervenzellen beruecksichtigt, indem durch eine schnelle Aenderung des Magnetfeldes eine hohe Spannung oberhalb der Nerverregungsschwelle induziert wird und durch eine langsame Aenderung des Magnetfeldes eine niedrige Spannung unterhalb der Nerverregungsschwelle induziert wird.

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Patent

Transpondermodul und Verfahren zur Herstellung desselben

2002 , Plettner, A. , Haberger, K.

Ein Transpondermodul, insbesondere fuer ein elektronisches Etikett, umfasst eine aus einem isolierenden Material bestehende Schicht, die als einziges Traegersubstrat vorgesehen ist. Auf einer ersten Hauptoberflaeche des Traegersubstrats ist eine Antenneneinrichtung gebildet. In einer Ausnehmung des Traegersubstrats ist ein ungehaeuster Schaltungschip derart angeordnet, dass eine erste Hauptoberflaeche des Schaltungschips im wesentlichen buendig zu der ersten Hauptoberflaeche des ersten Traegersubstrats ist. Elektrische Verbindungseinrichtungen zwischen dem Schaltungschip und der Antenneneinrichtung sind vorgesehen. Dieses Transpondermodul weist eine extrem geringe Dicke auf. Eine Mehrzahl von Verfahren kann verwendet werden, um ein derartiges Transpondermodul herzustellen.

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Patent

Transpondervorrichtung mit einer Einrichtung zum Schutz vor elektromagnetischen Stoerfeldern

2000 , Plettner, A. , Haberger, K.

Eine Transpondervorrichtung besteht aus einem Schaltungschip, der eine integrierte Schaltung aufweist, die einen Transponderschaltkreis definiert, und einem Traegersubstrat, das den Schaltungschip traegt und auf dem eine mit Anschluessen des Schaltungschips verbundene Antennenmetallisierung zur Energieversorgung und Datenuebertragung angeordnet ist. Eine Schutzeinrichtung zum Schutz des Transponderschaltkreises vor elektromagnetischen Stoerfeldern ist auf dem Traegersubstrat vorgesehen.

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Patent

Schaltungschip mit spezifischer Anschlussflaechenanordnung

2000 , Plettner, A. , Haberger, K.

Ein Schaltungschip besteht aus einem halbleitenden Substrat mit einer Vorderseite und einer Rueckseite, wobei in der Vorderseite des halbleitenden Substrats eine integrierte Schaltung mit einer Mehrzahl von Bauelementen definiert ist. Der Schaltungschip weist ferner zumindest zwei Anschlussflaechen zur Kontaktierung von Anschluessen der integrierten Schaltung auf, wobei zumindest eine der Anschlussflaechen auf der Vorderseite des halbleitenden Substrats und zumindest eine der Anschlussflaechen auf der Rueckseite des Halbleitersubstrats angeordnet ist. Vorzugsweise weist die integrierte Schaltung zumindest zwei zur Signaleinkopplung oder Signalauskopplung dienende und ohne Beeintraechtigung der Funktion der integrierten Schaltung vertauschbare Anschluesse auf, wobei einer derselben mit der auf der Vorderseite angeordneten Anschlussflaeche verbunden ist, waehrend ein anderer derselben mit der auf der Rueckseite angeordneten Anschlussflaeche verbunden ist.

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Verfahren zum Verbinden eines Chips mit einem Substrat unter Verwendung einer isotropen Verbindungsschicht und Verbundsystem aus Chip und Substrat

2002 , Feil, M. , Haberger, K. , Koenig, M.

Ein Verfahren und ein System sind geschaffen, bei dem ein Chip, der zumindest zwei voneinander beabstandete Anschlussflaechen auf einer Seite desselben aufweist, mit einem Substrat verbunden wird, das zumindest zwei Kontaktanschlussflaechen auf einer Seite desselben aufweist. Ein isotropes Haftmittel wird auf die Seite des Chips, auf der die Anschlussflaechen angeordnet sind, oder auf die Seite des Substrats, auf der die Kontaktanschlussflaechen angeordnet sind, aufgebracht. Der Chip und das Substrat werden zueinander ausgerichtet, so dass sich die Anschlussflaechen des Chips und die Kontaktanschlussflaechen des Substrats gegenueberliegen, wobei nach einem Verbinden, das durch ein Zusammenbringen des Chips mit dem Substrat erfolgt, eine ganzflaechige isotrope Verbindungsschicht des Haftmittels gebildet ist.

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Verfahren und Anordnung zum Abtrennen duenner Oberflaechenbereiche von Substraten

2002 , Haberger, K. , Bleier, M.

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Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Traeger

2000 , Plettner, A. , Haberger, K. , Landesberger, C.

Bei einem Verfahren zum Aufbringen eines auf ein Hilfssubstrat aufgebrachten Schaltungschips auf ein Schaltungssubstrat wird zunaechst der auf das Hilfssubstrat aufgebrachte Schaltungschip bereitgestellt. Nachfolgend wird ein Schaltungssubstrat, auf oder in das der Schaltungschip aufgebracht werden soll, an der von dem Hilfssubstrat abgewandten Oberflaeche des Schaltungschips positioniert, indem eine Positionsaenderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgefuehrt wird. Der Schaltungschip wird nachfolgend von dem Hilfssubstrat abgeloest und auf das Schaltungssubstrat aufgebracht. Abschliessend wird das Schaltungssubstrat mit dem Schaltungschip von dem Hilfssubstrat entfernt, indem wiederum eine Positionsaenderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgefuehrt wird.

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Verfahren zur Handhabung einer Mehrzahl von Schaltungschips

2002 , Plettner, A. , Haberger, K. , Landesberger, C.

Bei einem Verfahren zur parallelen Handhabung einer Mehrzahl von Schaltungschips, die in einer ersten Anordnung, die der Anordnung derselben im urspruenglichen Waferverbund entspricht, auf der Oberflaeche eines Hilfstraegers angeordnet sind, wird die Mehrzahl von integrierten Schaltungschips durch eine Mehrzahl von Aufnahmeeinrichtungen aufgenommen. Die Mehrzahl von Aufnahmeeinrichtungen mit den aufgenommenen Schaltungschips wird gleichzeitig zu einem oder mehreren Traegern bewegt, derart, dass gleichzeitig mit der Bewegung die erste Anordnung der Schaltungschips in eine zweite, von der ersten Anordnung verschiedene Anordnung geaendert wird. Dann werden die Schaltungschips in der zweiten Anordnung auf dem oder den Traegern plaziert.

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Verfahren zur Fertigung von duennen Substratschichten und eine dafuer geeignete Substratanordnung

2001 , Haberger, K. , Plettner, A.

(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Fertigung von sehr duennen Substratschichten, insbesondere duennen Halbleiterbereichen, die integrierte Schaltungen enthalten koennen. Bei dem Verfahren werden zwei Substrate mit ihren Vorderseiten ueber eine oder mehrere dazwischenliegende Verbindungsschichten verbunden. Zumindest eine der Verbindungsschichten oder die Vorderseite eines der Substrate wird vorher derart strukturiert, dass kanalfoermige Vertiefungen gebildet werden, die ein seitliches Eindringen eines Aetzmittels ermoeglichen. Der resultierende Waferstapel wird von einer Seite bis auf die gewuenschte Schichtdicke geduennt. Schliesslich wird diese duenne Schicht vom restlichen Substrat durch Einbringen des Aetzmittels in die kanalfoermigen Vertiefungen abgeloest. Bei diesem Abloesevorgang handelt es sich um einen preisguenstigen, nasschemischen Prozess, der den Chip und die auf ihm integrierte Wertschoepfung nicht gefaehrdet.

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Patent

Schaltungschip mit Lichtschutz

2000 , Plettner, A. , Haberger, K.

Ein Schaltungschip besteht aus einem halbleitenden Substrat mit einer Vorderseite und einer Rueckseite, wobei in der Vorderseite eine integrierte Schaltung definiert ist. Auf der Vorderseite ist eine Lichtschutzschicht zumindest ueber Bereiche, in den aktive Elemente der integrierten Schaltung definiert sind, vorgesehen, wobei die Lichtschutzschicht aus Metall, einem Halbleitermaterial, das einen geringeren Bandabstand als Silizium aufweist, oder einem hochleitfaehigen Silizid gebildet ist. Bei einem Transpondermodul, bei dem ein Schaltungschip in eine Oberflaeche eines Isolationssubstrats eingefuehrt ist, auf der eine strukturierte Metallisierung vorgesehen ist, die eine Antenneneinrichtung definiert, ist die strukturierte Metallisierung derart ausgebildet, dass sie den Schaltungschip zumindest in Bereichen, in denen aktive Elemente der integrierten Schaltung definiert sind, vollstaendig ueberlappt, so dass die Metallisierung als Lichtschutzschicht wirksam ist. Somit ist ein ultraflacher Aufbau sowohl des Schaltungschips als auch des Transpondermoduls durch die Verwendung einer Metallisierungsschicht als Lichtschutzschicht moeglich.

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