Verfahren zur Bestimmung von Eigenschaften einer Halbleiterschichtstruktur

Verfahren zur Bestimmung mindestens einer Eigenschaft einer Halbleiterschichtstruktur, umfassend die Verfahrensschritte:A - Bereitstellen des Halbleitersubstrates mit der Halbleiterschichtstruktu r;B - Bereitstellen von Referenzdaten, welche für zumindest einen Referenzortspunkt einer Referenzschichtstruktur eine Mehrzahl wellenlängenabhängiger Referenzintensitäten einer von der Referenzschichtstruktur reflektierten und/oder emittierten Strahlung enthalten;C - Bereitstellen von zumindest einer Referenzeigenschaft der Referenzschichtstruktur an dem Referenzortspunkt, wobei die Referenzeigenschaft mindestens eine Schichtdicke und/oder eine Porosität umfasst;D - Messen der Halbleiterschichtstruktur an zumindest einem Messortspunkt und Erzeugen von Messdaten, welche für den Messortspunkt auf der Halbleiterschichtstruktur eine Mehrzahl wellenlängenabhängiger Messintensitäten einer von der Halbleiterschichtstruktur reflektierten und/oder emittierten Strahlung enthalten,wobei die Anzahl der wellenlängenabhängigen Messintensitäten niedriger als ist die Anzahl der wellenlängenabhängigen Referenzintensitäten und/oder wobei die Messdaten spektral niedriger aufgelöst sind als die Referenzdaten;E - Bestimmen der Eigenschaft der Halbleiterschichtstruktur an dem Messortspunkt in Abhängigkeit der Referenzintensitäten und der Referenzeigenschaft und der Messintensitäten, wobei die bestimmte Eigenschaft der Halbleiterschichtstruktur eine Schichtdicke und/oder eine Porosität umfasst.