Halbleiter-Bauelementstruktur mit Verbindungshalbleiter und Verfahren zum Herstellen derselbigen

Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Bauelementstruktur (100), aufweisend ein Substrat (10) mit einer auf einer ersten Substratseite (1) gelegenen ersten Hauptoberfläche (11) und einer auf einer gegenüberliegenden zweiten Substratseite (2) gelegenen zweiten Hauptoberfläche (12), sowie eine vertikale Durchkontaktierung (13), die sich zwischen der ersten Hauptoberfläche (11) und der zweiten Hauptoberfläche (12) vollständig durch das Substrat (10) hindurch erstreckt. Auf der ersten Substratseite (1) ist im Bereich der Durchkontaktierung (13) eine Metallisierungsschicht (31) angeordnet, die galvanisch mit der Durchkontaktierung (13) verbunden ist. Auf der Metallisierungsschicht (31) ist eine mit der Metallisierungsschicht (31) galvanisch verbundene Verbindungshalbleiter-Schicht (21) angeordnet. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Halbleiter-Bauelementstruktur (100).