Verfahren zur Herstellung eines Trench-MOSFET

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Trench-MOSFET werden Gräben in einer monokristallinen Halbleiterschicht erzeugt und die Oberfläche dann zunächst ganzflächig mit einer Streuoxid-Schicht und anschließend mit einer Polysiliziumschicht bedeckt, so dass die Gräben zumindest teilweise mit dem Polysilizium aufgefüllt sind. Die Polysiliziumschicht wird dann bis auf Oberflächen der Halbleiterschicht in den Bereichen zwischen den Gräben planarisiert. Durch eine thermische Oxidation von freiliegenden Oberflächen des Polysiliziums in den Gräben wird eine dicke SiO2-Schicht über dem Polysilizium erzeugt, die als Implantationsmaske für nachfolgende Implantationsschritte dient. Anschließend erfolgen die Ionenimplantationsschritte zur Erzeugung der Source- und Wannen-Gebiete sowie die weiteren Schritte zur Fertigstellung des MOSFET. Das Verfahren ermöglicht die Herstellung von Trench-MOSFETs in SiC ohne das Erfordernis einer Lithographieanlage für die Erzeugung der Source- und Wannen-Gebiete in kostengünstiger Weise.