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Patent
Title
Verfahren zum Herstellen eines Boden-Oxids
Other Title
Method for producing a bottom oxide
Abstract
Verfahren zum Herstellen eines (dicken) Boden-Oxids in einer Grabenstruktur mit folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Substrats mit mindestens einer Grabenstruktur, der einen Boden und Seitenwände aufweist;- Abscheiden einer Polysiliziumschicht auf eine Oberfläche des Substrats, den Boden und die Seitenwände;- Abscheiden einer Oxidschicht auf die Polysiliziumschicht;- Abscheiden einer Nitridschicht auf die Oxidschicht;- Anisotropes Trockenätzen der Nitridschicht;- Thermische Oxidation des Polysiliziums der Polysiliziumschicht, um lokal eine dicke Oxidschicht zu erzeugen;- Nassätzen;- Abscheiden einer weiteren Oxidschicht auf die dicke Oxidschicht entlang zumindest des Bodens und der Oberfläche oder auf das Restoxid entlang des Bodens und der Oberfläche und auf die Seitenwände.
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A method for producing a (thick) bottom oxide in a trench structure, having the following steps: providing a substrate having at least one trench structure comprising a bottom and sidewalls; depositing a polysilicon layer on a surface of the substrate, the bottom and the sidewalls; depositing an oxide layer on the polysilicon layer; depositing a nitride layer on the oxide layer; anisotropic dry etching of the nitride layer; thermal oxidation of the polysilicon of the polysilicon layer to produce a thick oxide layer locally; and wet etching; depositing a further oxide layer on the thick oxide layer along at least the bottom and the surface or on the residual oxide along the bottom and the surface and on the sidewalls.
Patent Number
DE102023210487 A1
Publication Date
April 24, 2025
Language
German