Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen (5), mit einem Verfahrensschritt A mit Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks (1) mit einem Trägersubstrat (2) und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (5), wobei die Halbleiterbauelemente (5) zumindest eine an einer Vorderseite des Trägersubstrats (2) angeordnete funktionale Halbleiterschicht (3), welche als III-V-Verbindungshalbleiter ausgebildet ist, und zumindest eine an einer Rückseite des Trägersubstrats (2) angeordnete metallische Rückseitenkontaktierungsschicht (4) aufweisen, und mit einem Verfahrensschritt B mit Durchtrennen des Halbleiterwerkstücks (1) entlang einer Mehrzahl von Trennstrecken, um die Halbleiterbauelemente (5) zu Vereinzeln. Wesentlich ist, dass Verfahrensschritt B folgende Verfahrensschritte umfasst: in einem Verfahrensschritt B1 wird an der Rückseite des Trägersubstrats (2) entlang der Trennstrecken die metallische Rückseitenkontaktierungsschicht (4) der Halbleiterbauelemente (5) durchtrennt und zumindest in Teilbereichen der Trennstrecken wird ein Trenngraben (9) an der Rückseite des Trägersubstrats (2) mittels Ablation durch Laserstrahlung erzeugt und in einem Verfahrensschritt B2 erfolgt entlang der Trennstrecken ein Durchtrennen des Trägersubstrats (2) durch Energieeintrag in das Trägersubstrat (2) mittels Laserstrahlung, wobei das Trägersubstrat (2) unterhalb der Schmelztemperatur des Trägersubstrats (2) erwärmt wird. Die Erfindung betrifft weiterhin ein vereinzeltes Halbleiterbauelement (2).