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Patent
Title
Verfahren zum laserbasierten Vereinzeln von Mikrochips auf strukturierten Substraten
Other Title
Method for laser-based singulating of microchips on structured substrates
Abstract
Gegenstand dieser Veröffentlichung ist ein Verfahren zum Vereinzeln von Mikrochips (160). Das Verfahren beinhaltet ein Bereitstellen eines ein- oder mehrlagigen Substrats (100). Das Verfahren beinhaltet ferner ein laserbasiertes Erzeugen von Mikrorissen (131, ..., 135) in dem Substrat (100) mittels eines Laserstrahls (121, ..., 125) der in das Substrat (100) eindringt, wobei der Laserstrahl (121, ..., 125) lateral um die Mikrochips (160) herum geführt wird, um Vereinzelungs-Ritzgräben (161, ..., 164) in dem Substrat (100) zu erzeugen, entlang derer die Mikrochips (160) später vereinzelt werden. Dabei wird der Laserstrahl (121, ..., 125) in mehreren Durchgängen lateral über das Substrat (100) hinweg geführt, wobei der Fokuspunkt des Laserstrahls (121, ..., 125) bei jedem Durchgang auf eine unterschiedliche Eindringtiefe eingestellt wird, sodass die im Fokuspunkt entstehenden Mikrorisse (131, ..., 135) stufenweise in dem Substrat (100) erzeugt werden. Erfindungsgemäß wird mindestens eine Ausnehmung (200) in dem Substrat (100) erzeugt, wobei sich die Ausnehmung (200) in lateraler Richtung zumindest abschnittsweise entlang von einem der Vereinzelungs-Ritzgräben (161, ..., 164) erstreckt.
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The subject-matter of this disclosure is a method for singulating microchips. The method includes providing a single-layer or multi-layer substrate. The method further includes laser-based creating microcracks in the substrate using a laser beam that penetrates the substrate, wherein the laser beam is guided laterally around the microchips so as to generate singulating scribe lines in the substrate along which the microchips are to be singulated. The laser beam is guided laterally across the substrate in multiple passes, wherein the focal point of the laser beam is set to different penetration depths in different passes each so that the microcracks generated in the focal point are generated in the substrate in a step-wise manner. According to the disclosure, at least one recess is generated in the substrate, wherein the recess extends at least partially in a lateral direction along one of the singulating scribe lines.
Patent Number
DE102023200718 A1
Publication Date
August 1, 2024
Language
German