Verfahren zur Präparation eines Querschnitts mit einem fokussierten Ionenstrahl

Bei einem Verfahren zur Präparation eines Querschnitts in einem Substrat wird mit wenigstens einem fokussierten Ionenstrahl eine Schnittfläche in dem Substrat erzeugt, wobei vor und während der Erzeugung der Schnittfläche ein Oberflächenbereich des Substrats am Rand der Schnittfläche mit einer Hartmaske geschützt wird, die als Einzelteil bereitgestellt und mit wenigstens einem Mikromanipulator am Rand der Schnittfläche positioniert wird. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Hartmaske nicht am Substrat fixiert, sondern während der Erzeugung der Schnittfläche mit dem Mikromanipulator gehalten wird. Mit dem Verfahren wird die Bearbeitungszeit für die Erstellung des Querschnitts reduziert und eine Kontamination der Oberfläche durch artfremde Materialien in der Halbleiterfertigung vermieden.

In a method for preparing a cross section in a substrate, a cut face is created in the substrate with at least one focused ion beam, wherein before and during the creation of the cut face a surface region of the substrate on the edge of the cut face is protected with a hardmask that is made from a doped semiconductor material, provided as a separate part, and positioned on the edge of the cut face with at least one micromanipulator. The method is characterized in that the hardmask is not affixed to the substrate, but instead is held in place with the micromanipulator while the cut face is created. With the method, it is possible to reduce the processing time for creating the cross section and to avoid contamination of the surface by foreign materials in semiconductor manufacturing.