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Fraunhofer-Gesellschaft
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Patent
Title

Elektrische Schaltungsanordnung mit einem ferroelektrischen Feldeffekttransistor und Speicherzelle

Other Title
Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung mit einem ferroelektrischen Feldeffekttransistor, einer elektrischen Energiequelle (2) und einem resistiven Element (3) mit einem elektrischen Widerstand von mindestens 100 kOhm, wobei das resistive Element (3) mit einem Drain-Anschluss (D) des ferroelektrischen Feldeffekttransistors elektrisch verbunden ist und die elektrische Energiequelle (2) mit einem Gate-Anschluss (G) und einem Source-Anschluss (S) des ferroelektrischen Feldeffekttransistors (1) elektrisch verbunden ist.

; 

The invention relates to an electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, an electric energy source (2), and a resistive element (3) having a minimum electric resistance of 100 kOhm, the resistive element (3) being electrically connected to a drain terminal (D) of the ferroelectric field effect transistor, and the electric energy source (2) being electrically connected to a gate terminal (G) of the ferroelectric field effect transistor (1).
Inventor(s)
Kämpfe, Thomas  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS  
Laleni, Nelli
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS  
Link to Espacenet
https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?DB=EPODOC&II=0&ND=3&adjacent=true&locale=de_EP&FT=D&date=20220623&CC=DE&NR=102020216060A1&KC=A1
Patent Number
DE102020216060 A1
Publication Date
June 23, 2022
Language
German
Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS  
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