Verfahren und System zum Laserschweißen eines Halbleitermaterials

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schweißen eines ersten Werkstücks (11) an ein zweites Werkstück (12) mittels eines Lasers. Es ist eine Aufgabe der Erfindung, einen zuverlässigen, wiederholbaren und reproduzierbaren Ansatz zum Laserschweißen von zwei Werkstücken bereitzustellen, von denen eines aus einem Halbleitermaterial besteht. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst die folgenden Schritte: Bestrahlen des ersten Werkstücks (11) mit einem Strahl gepulster Laserstrahlung, wobei das erste Werkstück (11) aus einem Halbleitermaterial besteht, das bei der Wellenlänge der Laserstrahlung transparent ist, sodass der Strahl durch eine Eintrittsfläche in das erste Werkstück (11) eintritt und es durch eine Austrittsfläche verlässt, wobei der geometrische Fokus des Strahls in der Ebene der Austrittsfläche positioniert wird; Bestimmen einer Verlagerung des Fokus, verursacht durch nichtlineare Wechselwirkung der Laserstrahlung mit dem Halbleitermaterial; Setzen des zweiten Werkstücks (12) an das erste Werkstück (11); und nochmaliges Bestrahlen des ersten Werkstücks (11) mit dem Laserstrahl gepulster Laserstrahlung, wobei der Fokus der Laserstrahlung unter Berücksichtigung der bestimmten Verlagerung entlang der Strahlrichtung positioniert wird, sodass das Intensitätsmaximum sich in der Ebene der Austrittsfläche befindet, die die Grenzfläche der beiden Werkstücke (11, 12) bildet, wodurch das erste Werkstück (11) an das zweite Werkstück (12) geschweißt wird. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein System zum Schweißen eines ersten Werkstücks (11) an ein zweites Werkstück (12).