Hochfrequenz-Struktur mit substratintegriertem Wellenleiter und Rechteck-Hohlleiter

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Struktur, bei der ein Rechteck-Hohlleiter vertikal an einen substratintegrierten Wellenleiter gekoppelt ist. Der substratintegrierte Wellenleiter weist im Ankoppelbereich einen zum Rechteck-Hohlleiter hin offenen Hohlraum auf, der auf einer dem Rechteck-Hohlleiter gegenüber liegenden Seite durch eine metallische Abdeckung abgeschlossen ist. Der Ankoppelbereich zum Rechteck-Hohlleiter ist so angeordnet, dass er den substratintegrierten Wellenleiter in zwei Wellenleiterzweige auftrennt, die eine Einkopplung eines differentiellen Signals über ihre Enden ermöglichen, das in dem zum Rechteck-Hohlleiter hin offenen Hohlraum eine Phasendifferenz im Bereich von 180° aufweist. Der Hohlraum ist in Richtung der beiden Wellenleiterzweige mit einer beidseitig gestuften Struktur zur Impedanzanpassung versehen, die durch Stufen in der dem Rechteck-Hohlleiter zugewandten elektrisch leitfähigen Beschichtung gebildet wird. Die vorgeschlagene Hochfrequenz-Struktur ermöglicht eine Übertragung eines von einem MMIC erzeugten differentiellen Signals mit geringen Bandbreite- und Leistungsverlusten zu einer mit dem Rechteck-Hohlleiter verbundenen Antenne.