Verfahren zum Herstellen einer ferroelektrischen Schicht oder einer antiferroelektrischen Schicht

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer ferroelektrischen Schicht oder antiferroelektrischen Schicht, bei dem eine bereits auf einer Oberfläche eines Substrats abgeschiedene Schicht aus einem paraelektrischen Werkstoff mit einer Schichtdicke von mindestens zwei kristallographischen Einheitszellen in ein elektrisches Wechselfeld eingebracht wird (5). Das elektrische Wechselfeld wird derart wiederholt zwischen einer positiven elektrischen Feldstärke und einer negativen elektrischen Feldstärke einer Amplitude größer der Koerzitivfeldstärke des Werkstoffs verfahren, dass die Schicht aus dem paraelektrischen Werkstoff eine Polarisation ausbildet.

The present invention relates to a method for producing a ferroelectric layer or an antiferroelectric layer, in which method a layer of a paraelectric material, which layer is already deposited on a surface of a substrate and has a layer thickness of at least two crystallographic unit cells, is introduced (5) into an alternating electric field. The alternating electric field is repeatedly changed between a positive electric field strength and a negative electric field strength of an amplitude greater than the coercivity of the material such that the layer of the paraelectric material forms a polarization.