Leistungshalbleitermodul

Leistungshalbleitermodul (10;10') umfassend: ein erstes Isolatorsubstrat (12;12`), ein zweites Isolatorsubstrat (14;14`), das parallel und beabstandet zu dem ersten Isolatorsubstrat (12;12`) angeordnet ist, wobei beide Isolatorsubstrate (12,14;12`,14`) jeweils eine Isolatorschicht (121,141;121`,141 `), eine innere Metallisierungsschicht (122,142;122`,142`) und eine äußere Metallisierungsschicht (123,143;123`,143`) umfassen, eine erste Kühlvorrichtung (18;18`), die wärmeleitend an der äußeren Metallisierungsschicht (123;123`) des ersten Isolatorsubstrats (12; 12') angeordnet ist, eine zweite Kühlvorrichtung (20;20`), die wärmeleitend an der äußeren Metallisierungsschicht (143;143`) des zweiten Isolatorsubstrats (14; 14') angeordnet ist, und ein Leistungshalbleiterelement (22;22`), dass zwischen dem ersten Isolatorsubstrat (12;12`) und dem zweiten Isolatorsubstrat (14; 14') angeordnet ist und mit der inneren Metallisierungsschicht (122,142;122`,142`) beider Isolatorsubstrate (12,14;12`,14`) elektrisch verbunden ist, wobei mindestens eines der beiden Isolatorsubstrate (12;14`) ein Durchkontaktierungselement (16; 16') umfasst, das sich durch die Isolatorschicht (121;141`) des entsprechenden Isolatorsubstrats (12;14`) hindurch erstreckt und über welches die innere Metallisierungsschicht (122,142') des entsprechenden Isolatorsubstrats (12; 14') mit der äußeren Metallisierungsschicht (123;143`) des entsprechenden Isolatorsubstrats (12; 14') elektrisch verbunden ist.

A power semiconductor module includes a first and second insulating substrate, which is arranged parallel to and at a distance from the first insulating substrate. The first insulating substrate and the second insulating substrate each include an insulating layer, an inner metallization layer, and an outer metallization layer. The power semiconductor module also includes a first cooling device, which is arranged thermally conductively on the outer metallization layer of the first insulating substrate, a second cooling device, which is arranged thermally conductively on the outer metallization layer of the second insulating substrate. The power semiconductor module also includes a power semiconductor, arranged between the first insulating substrate and the second insulating substrate. At least one of the two insulating substrates include a through-contact, by which the inner metallization layer of the corresponding insulating substrate is electrically connected to the outer metallization layer of the corresponding insulating substrate.