Verfahren zum Erzeugen von vertikalen Kanalstrukturen in dreidimensional integrierten Halbleiterspeichern

Die vorliegende Erfindung betrifft einen bestimmten Verfahrensschritt ("Channel Hole Etching") bei der Erzeugung eines dreidimensional integrierten Halbleiterspeichers. Erfindungsgemäß zeichnet sich dieser Verfahrensschritt dadurch aus, dass die damit zu erzeugende vertikale Kanalstruktur (112), das sogenannte "Channel Hole", unter Anwendung eines anodischen Ätzverfahrens erzeugt wird. Dadurch können Schichtstapel (100) mit deutlich mehr Einzelschichten (101, 102) als im Stand der Technik prozessiert werden. Dementsprechend kann die Anzahl der Einzelschichten (101, 102) innerhalb eines zu prozessierenden Schichtstapels (100) erhöht werden, wodurch auch die Speicherkapazität des Schichtstapels (100) deutlich erhöht werden kann.