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Konferenzschrift
Homoepitaxial growth and defect characterization of 4H-SiC
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2022
Meeting Abstract
Title
Homoepitaxial growth and defect characterization of 4H-SiC
Author(s)
Kallinger, Birgit
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Kranert, Christian
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Schade, Zara Mercedes
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Rommel, Mathias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Berwian, Patrick
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Conference
International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors 2022
DOI
10.24406/publica-356
File(s)
2022-DRIP-XIX_Abstract-Kallinger_final.pdf (292.92 KB)
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Rights
Under Copyright
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Fraunhofer Group
Mikroelektronik
Keyword(s)
4H-Silicon Carbide (SiC)
homoepitaxial growth
extended defects
point defects
