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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Reliability of Silicon-Nitride based High-Voltage Monolithic Capacitors
 
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2021
Presentation
Title

Reliability of Silicon-Nitride based High-Voltage Monolithic Capacitors

Title Supplement
Presentation held at ECPE Online Workshop: Capacitors in Power Electronics, 20.-21.04.2021
Author(s)
Becker, Tom  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Matlok, Stefan  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Heckel, Thomas  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Böttcher, Norman  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Leib, Jürgen  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Erlbacher, Tobias  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Conference
Workshop "Capacitors in Power Electronics" 2021  
DOI
10.24406/publica-fhg-410867
File(s)
N-634352.pdf (5.02 MB)
Rights
Under Copyright
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)

  • SiRC-Snubber Technology

  • time-dependent dielectric breakdown

  • high temperature reverse bias

  • SiRC Structure, Charge Carrier Transport

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