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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Lifetime engineering in 4H-SiC materials and devices
 
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2019
Presentation
Title

Lifetime engineering in 4H-SiC materials and devices

Title Supplement
Presentation held at 1st Sino-German Symposium on "Defect Engineering in SiC Device Manufacturing - Atomistic Simulations, Characterization and Processing" DESiC 2019, November 10-14, Beijing, China
Author(s)
Rommel, Mathias  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Erlekampf, Jürgen
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Weiße, Julietta
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Berwian, Patrick  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Friedrich, Jochen  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Erlbacher, Tobias  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Conference
Sino-German Symposium on Defect Engineering in SiC Device Manufacturing - Atomistic Simulations, Characterization and Processing (DESiC) 2019  
DOI
10.24406/publica-fhg-405701
File(s)
N-565744.pdf (2.65 MB)
Rights
Under Copyright
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • carrier lifetime

  • 4H-SiC

  • silicon carbide

  • µ-PCD

  • DLTS

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