2019
Poster
Title

Pre-deposition interfacial oxidation and post-deposition interface nitridation of LPCVD TEOS used as gate dielectric on 4H-SiC

Title Supplement
Poster presented at International Conference on Silicon Carbide & Related Materials, September 29th - October 04th, 2019, Kyoto, Japan
Author(s)
Lim, Minwho  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Sledziewski, Tomasz
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Rommel, Mathias  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Erlbacher, Tobias  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Kim, Hong-Ki
Pohang University of Science and Technology (POSTECH)
Kim, Seongjun
Pohang University of Science and Technology (POSTECH)
Shin, Hoon-Kyu
Pohang University of Science and Technology (POSTECH)
Bauer, Anton
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Conference
DOI
File(s)
Rights
Under Copyright
Language
English