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2019
Presentation
Title
An experimental study on HCI under various stress conditions
Title Supplement
Presentation held at ITG MN 5.6 - Fachtagung fWLR: Wafer Level Reliability, Zuverlässigkeit-Simulation & Qualifikation; 27. Mai - 29. Mai 2019, Dresden
Abstract
An einer 350-nm-Technologie wurde eine messtechnische Studie zum Degradationsmechanismus "Hot Carrier Injection" (HCI) durchgeführt. In der Präsentation wurden das Vorgehen und die Ergebnisse dargestellt. Besonderer Fokus lag dabei auf Stressbedingungen, die über gültige Industriestandards hinaus gehen. Beispiele sind Variationen der Gate-Source-Spannung sowie nicht-konstante Stressbedingungen.
Author(s)
