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Konferenzschrift
Influence and mutual interaction of process parameters on the Z1/2 defect concentration during epitaxy of 4H-SiC
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2017
Poster
Titel
Influence and mutual interaction of process parameters on the Z1/2 defect concentration during epitaxy of 4H-SiC
Titel Supplements
Poster presented at ICSCRM 2017, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Washington, DC, September 17-22, 2017
Author(s)
Erlekampf, Jürgen
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Kaminzky, Daniel
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Roßhirt, Katharina
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Kallinger, Birgit
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Rommel, Mathias
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Berwian, Patrick
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Friedrich, Jochen
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Frey, Lothar
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
Konferenz
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2017
DOI
10.24406/publica-fhg-397953
File(s)
N-469935.pdf (1.71 MB)
Language
English
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Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB
