• English
  • Deutsch
  • Log In
    Password Login
    Research Outputs
    Fundings & Projects
    Researchers
    Institutes
    Statistics
Repository logo
Fraunhofer-Gesellschaft
  1. Home
  2. Fraunhofer-Gesellschaft
  3. Konferenzschrift
  4. Influence of growth temperature on the defect density for 4H-SiC homoepitaxy
 
  • Details
  • Full
Options
2015
Poster
Title

Influence of growth temperature on the defect density for 4H-SiC homoepitaxy

Title Supplement
Poster presented at 4. Seminar der "Jungen DGKK", 03. März 2015, Frankfurt a. M.
Other Title
Einfluss der Wachstumstemperatur auf die Defektdichte in der 4H-SiC Homoepitaxie
Author(s)
Kaminzky, Daniel
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Roßhirt, Katharina
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Berwian, Patrick  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Friedrich, Jochen  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Project(s)
SiC-WinS
Funder
Bayerische Forschungsstiftung  
Conference
Seminar "Jungen DGKK" 2015  
File(s)
Download (1.09 MB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-388494
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • semiconductor

  • silicon carbide

  • 4H-SiC

  • homoepitaxy

  • point defects

  • extended defects

  • stacking faults

  • photoluminescence

  • UV-PL

  • DLS

  • carrier lifetime

  • µ-PCD

  • surface topography

  • AFM

  • Cookie settings
  • Imprint
  • Privacy policy
  • Api
  • Contact
© 2024