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Fraunhofer-Gesellschaft
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  3. Konferenzschrift
  4. HCl assisted growth of thick 4H-SiC epilayers for bipolar devices
 
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2013
Poster
Title

HCl assisted growth of thick 4H-SiC epilayers for bipolar devices

Title Supplement
Poster presented at ICSCRM 2013, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan
Author(s)
Kallinger, Birgit  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Ehlers, Christian
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Berwian, Patrick  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Rommel, Mathias  orcid-logo
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Friedrich, Jochen  
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Conference
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2013  
File(s)
Download (411.5 KB)
Rights
Use according to copyright law
DOI
10.24406/publica-fhg-381254
Language
English
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB  
Keyword(s)
  • 4H-SiC

  • epitaxy

  • CVD

  • chloride assisted growth

  • carrier lifetime

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