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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. High-power (> 25 W cw) tapered laser bars with high brightness at 980 nm
 
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1998
  • Konferenzbeitrag

Titel

High-power (> 25 W cw) tapered laser bars with high brightness at 980 nm

Alternative
Hochleistungs-Laserbarren (> 25 W cw) mit trapezförmigen Emittern hoher Brillanz bei 980 nm
Abstract
High-power laser bars comprising 25 tapered emitters have been fabricated. The total output power is higher than 25 W and the average beam quality factor M2 of each individual emitter is 2.18 at 10 W total power.
Author(s)
Braunstein, J.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Mikulla, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Schmitt, A.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Schleife, J.
Bihlmann, G.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Hauptwerk
16th IEEE International Semiconductor Laser Conference 1998. Postdeadline papers
Konferenz
International Semiconductor Laser Conference (ISLC) 1998
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Language
Englisch
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IAF
Tags
  • high-power semiconduc...

  • Hochleistungs-Halblei...

  • tapered semiconductor...

  • Trapez-Halbleiterlase...

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