Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silizium

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silizium für Wafer, enthaltend die Schritte: a) Bereitstellen mindestens eines Silizium-Grünkörpers oder mindestens einer Silizium-Schüttung, wobei pulverförmiges Silizium als Ausgangsmaterial für den mindestens einen Silizium-Grünkörper oder die mindestens eine Silizium-Schüttung verwendet wird; b) Sintern des mindestens einen Silizium-Grünkörpers oder der mindestens einen Silizium-Schüttung aus Schritt a) bei Temperaturen im Bereich von 900°C bis 1410°C; wobei das Verfahren in Abwesenheit von Bindemitteln durchgeführt wird. Außerdem betrifft die Erfindung polykristallines Silizium für einen Wafer mit einem Anteil an random-Korngrenzen von 50 bis 100 %, welches frei von Bindemitteln ist und Silizium Wafer daraus.