Verfahren zur Bestimmung mindestens eines elektrischen oder optischen Parameters einer Vielzahl von Halbleiterchips auf einem Wafer

Es wird ein Verfahren zur Bestimmung mindestens eines elektrischen oder optischen Parameters einer Vielzahl von Halbleiterchips (2) auf einem Wafer (1) beschrieben, bei dem eine Gruppe von Testhalbleiterchips aus der Vielzahl von Halbleiterchips (2) selektiert wird, wobei die Anzahl der Testhalbleiterchips nicht mehr als 20 % der Gesamtzahl der Hableiterchips (2) auf dem Wafer (1) beträgt. Die Messung des mindestens einen optischen oder elektrischen Parameters wird an den Testhalbleiterchips durchgeführt und der mindestens eine optische oder elektrische Parameter der Halbleiterchips (2), die nicht selektiert wurden, berechnet.