RC-Snubberglied mit hoher Spannungsfestigkeit

Bei einer elektrischen Schaltungsanordnung, die durch ein monolithisch in ein Halbleitersubstrat integriertes RC-Snubberglied gebildet ist, sind ein erster Kondensator und ein Widerstand des RC-Snubberglieds vertikal in einem Halbleitergebiet eines ersten Dotierungstyps des Halbleitersubstrats ausgebildet. Wenigstens ein weiterer Kondensator ist in Reihe mit dem ersten Kondensator verschaltet. Der weitere Kondensator ist lateral zum ersten Kondensator in ein Halbleitergebiet eines zweiten Dotierungstyps integriert, das an das Halbleitergebiet des ersten Dotierungstyps angrenzt und durch den unterschiedlichen Dotierungstyp den weiteren Kondensator von dem Halbleitergebiet des ersten Dotierungstyps elektrisch isoliert. Mit dieser Schaltungsanordnung wird ein niederinduktives RC-Snubberglied mit hoher Spannungsfestigkeit gebildet, das eine hohe Entwärmbarkeit und Integrationsdichte aufweist.