Herstellungsverfahren für eine metallische Kontaktierungsstruktur und photovoltaische Solarzelle mit einer metallischen Kontaktierungsstruktur

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine metallische Kontaktierungsstruktur einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes, mit den VerfahrensschrittenA) Bereitstellen einer Halbleiterschicht;B) Erzeugen zumindest eines p-dotierten Bereiches angrenzend an eine Metallisierungsoberfläche der Halbleiterschicht;C) Aufbringen einer silberhaltigen Metallisierungsmasse unmittelbar oder unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschichten auf die Metallisierungsoberfläche der Halbleiterschicht in einem Kontaktierungsbereich, so dass die Metallisierungsmasse den p-dotierten Bereich zumindest teilweise bedeckt;D) Sintern der Metallisierungsmasse.Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die silberhaltige Metallisierungsmasse weniger als 0,5% Aluminium enthält und dass in einem Oberflächenbehandlungsschritt L die Metallisierungsoberfläche der Halbleiterschicht zumindest in dem Kontaktierungsbereich mit Laserstrahlung beaufschlagt wird, wobei Verfahrensschritt L vor Aufbringen der Metallisierungsmasse durchgeführt wird.