Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleitersubstrats mittels Laserstrahlung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleitsubstrats, insbesondere eines Halbleitersubstrats zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, mit einem Laserbearbeitungsschritt, wobei das Halbleitersubstrat lokal in einem Bearbeitungsbereich mittels Bearbeitungslaserstrahlung einer Bearbeitungslaserstrahlungsquelle beaufschlagt wird. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor und/oder während des Laserbearbeitungsschritts das Halbleitersubstrat in einem Konditionierungsbereich mittels Konditionierungslaserstrahlung einer Konditionierungslaserstrahlungsquelle mit einer Beleuchtungsintensität größer 50.000 W/m2 beaufschlagt wird.