Verfahren zum Löschen von Informationen und Vorrichtung zur Durchführung desselben

Es werden Verfahren und Vorrichtungen zum Löschen von Informationen, die auf einem elektronischen Halbleiterbaustein in einer Vielzahl von nicht flüchtigen Speicherelementen gespeichert sind, beschrieben. Ein Bestrahlen des Halbleiterbausteins mit einer Löschstrahlung, bis eine Solldosis von dem Halbleiterbaustein absorbiert ist, wobei die Löschstrahlung den Halbleiterbaustein durchdringt, führt zu einem Ionisationseffekt, welcher die Konzentration der auf den Speicherelementen gespeicherten Ladungsträger derart beeinflusst, dass eine statistische Verteilung der Schwellenspannungen der Speicherelemente einen zusammenhängenden Bereich bildet.

Methods and apparatuses for erasing information that is stored on an electronic semiconductor chip in a multiplicity of nonvolatile memory elements are described. Irradiating the semiconductor chip with erasing radiation until a target dose has been absorbed by the semiconductor chip, with the erasing radiation penetrating the semiconductor chip, results in an ionisation effect that influences the concentration of the charge carriers stored on the memory elements such that a random distribution of the threshold voltages of the memory elements forms a coherent region.