Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen eines Substrats mit zumindest einer Halbleiterschicht und mindestens einer metallischen Elektrode zur elektrischen Kontaktierung; B Zumindest teilweises Beschichten der Elektrode mit einem leitfähigen, lötbaren Material; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass Verfahrensschritt B folgende Verfahrensschritte umfasst: B1 Anordnen des lötbaren Materials an einer Oberfläche der Elektrode; B2 Erzeugen einer mechanisch Haftenden und elektrisch leitenden Verbindung zwischen Elektrode (2) und lötbarem Material durch Beaufschlagen des lötbaren Materials mit Laserstrahlung.