Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung von Materialparametern, insbesondere der Ladungsträgerlebensdauer eines Halbleitersubstrates durch Messung von Lumineszenzstrahlung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung von Materialparametern, insbesondere der Ladungsträgerlebensdauer eines Halbleitersubstrates durch Messung von Lumineszenzstrahlung, folgende Verfahrensschritte umfassend: a. Anregen des Halbleitersubstrats zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung durch injizieren von Ladungsträgern in dem Halbleitersubstrat, wobei der zeitliche Verlauf der Anregungsintensität IA(t) periodisch moduliert ist; b. Zeitaufgelöstes Messen der Intensität der von einem Messbereich des Halbleitersubstrates ausgehenden Lumineszenzstrahlung, wobei zumindest der relative zeitliche Verlauf der Lumineszenzstrahlung [Phi](t) zumindest während einer Anregungsperiode gemessen wird; c.; Bestimmen mindestens eines Materialparameters des Halbleitersubstrates abhängig von dem zeitlichen Verlauf der Anregungsintensität IA(t) und dem zeitlichen Verlauf der Intensität der Lumineszenzstrahlung [Phi](t); Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt A eine Strom-Spannungsquelle elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat verbunden wird und mittels der Strom-Spannungsquelle das Anregen mittels Beaufschlagen des Halbleitersubstrates mit zeitlich modulierter elektrischer Spannung erfolgt.

The invention relates to a method for determining material parameters, in particular the charge carrier lifetime of a semiconductor substrate, by measuring luminescent radiation, comprising the following steps: a. exciting the semiconductor substrate so as to cause the semiconductor substrate to produce luminescent radiation by injecting charge carriers in the semiconductor substrate, the course of the excitation intensity l A (t) over time being periodically modulated; b. measuring the intensity of the luminescent radiation emitted from a measurement region of the semiconductor substrate in a time-resolved manner, at least the relative course of the luminescent radiation Ö(t) over time being measured at least during the excitation period; c. determining at least one material parameter of the semiconductor substrate in dependence on the course of the excitation intensity l A (t) over time and the course of the intensity of the luminescent radiation Ö(t) over time. The invention is characterized in that, in step A, a current/voltage source is connected in an electrically conductive manner to the semiconductor substrate and the excitation is performed by means of the current-voltage source by applying voltage that is modulated over time to the semiconductor substrate.