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Title
Halbleiterbauelement, insbesondere Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierungsstruktur eines Halbleiterbauelementes
Date Issued
2014
Author(s)
Patent No
102013203061
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierungsstruktur eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen mindestens einer TCO-Schicht auf eine Halbleiterschicht des Halbleiterbauelementes und B Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur, welche mindestens einen Metallisierungsbereich der TCO-Schicht bedeckt, welcher Metallisierungsbereich ein Teilbereich einer der Halbleiterschicht abgewandten Metallisierungsoberfläche der TCO-Schicht ist, wobei die Kontaktierungsstruktur mittels galvanischer Abscheidung erzeugt wird und wobei die Kontaktierungsstruktur die TCO-Schicht an der Metallisierungsoberfläche mindestens einen Nichtmetallisierungsbereich aussparend aufgebracht wird.; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt A die TCO-Schicht zumindest in dem Nichtmetallisierungsbereich mit einer geringen Leitfähigkeit und/oder mit einer geringen Haftung gegenüber dem Metall der galvanischen Abscheidung ausgebildet wird.
The invention relates to a method for producing a metallic contact-making structure of a semiconductor component, more particularly of a photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: A applying at least one TCO layer to a semiconductor layer of the semiconductor component, and B producing a metallic contact-making structure which covers at least one metallization region of the TCO layer, which metallization region is a partial region of a metallization surface of the TCO layer which faces away from the semiconductor layer, wherein the contact-making structure is produced by means of electrodeposition, and wherein the contact-making structure is applied to the TCO layer at the metallization surface in a manner omitting at least one non-metallization region. The invention is characterized in that in method step A the TCO layer is formed at least in the non-metallization region with a low conductivity and/or with a low adhesion relative to the metal of the electrodeposition.
Language
de
Patenprio
DE 102013203061 A1: 20130225