Strahlungsquelle und Verfahren zu deren Betrieb

Die Erfindung betrifft eine Strahlungsquelle (1) mit zumindest einem Halbleitersubstrat (10), auf welchem zumindest ein Feldeffekttransistor (31, 32, 33, 34) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsquelle zumindest einen ersten Kontakt (11) und zumindest einen zweiten Kontakt (12) und zumindest einen dritten Kontakt (13) und zumindest eine erste Gate-Elektrode (21) und zumindest eine zweite Gate-Elektrode (22) aufweist, wobei der erste Kontakt (11) und der zweite Kontakt (12) und der dritte Kontakt (13) beabstandet nebeneinander auf dem Substrat (10) angeordnet sind, wobei die erste Gate-Elektrode (21) zwischen dem ersten Kontakt (11) und dem zweiten Kontakt (12) angeordnet ist, so dass diese einen ersten Feldeffekttransistor (31) bilden und die zweite Gate-Elektrode (22) zwischen dem zweiten Kontakt (12) und dem dritten Kontakt (13) angeordnet ist,; so dass diese einen zweiten Feldeffekttransistor (32) bilden. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung mit einer Vakuumwellenlänge zwischen etwa 10 [mu]m und etwa 1 mm.

The invention relates to a radiation source (1), comprising at least one semiconductor substrate (10), on which at least two field-effect transistors (31, 32, 33, 34) are formed, which each contain a gate electrode (21, 22, 23, 24), a source contact (11, 12, 13), and a drain contact (41, 42, 43), which bound a channel (311, 321, 331, 341), wherein the at least two field-effect transistors (31, 32, 33, 34) are arranged adjacent to each other on the substrate, wherein each field-effect transistor (31, 32, 33, 34) has exactly one gate electrode (21, 22, 23, 24) and at least one source contact (11, 12, 13) and/or at least one drain contact (41, 42, 43) is arranged between two adjacent gate electrodes (21, 22, 23, 24), wherein a ballistic electron transport can be formed in the channel (311, 321, 331, 341) during operation of the radiation source. The invention further relates to a method for producing electromagnetic radiation having a vacuum wavelength between approximately 10 [mu]m and approximately 1 mm.