Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten sowie dotiertes Halbleitersubstrat

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer einen Dotierstoffenthaltenden Schicht versehen wird, der Dotierstoff durch eine Temperaturbehandlung in das Halbleitersubstrat eingetrieben wird und anschliessend eine feuchte Oxidation in einer Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erfolgt.

The invention relates to a method for doping semiconductor substrates, wherein a semiconductor substrate is provided with a layer containing a dopant, the dopant is driven into the semiconductor substrate by means of a thermal treatment, and a moist oxidation is subsequently carried out in an atmosphere containing water vapour.