Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer Halbleiterstruktur mit Durchkontaktierung und photovoltaische Solarzelle

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer Halbleiterstruktur mit Durchkontaktierung, folgende Verfahrensschritte umfassend: a. Bereitstellen einer Halbleiterstruktur, welche Halbleiterstruktur eine photovoltaische Solarzelle oder eine Vorstufe im Herstellungsprozess der photovoltaischen Solarzelle ist, b. Erzeugen mindestens einer die Halbleiterstruktur durchdringende Ausnehmung und c. Ausbilden einer Durchkontaktierung mittels galvanischem Abscheiden mindestens einer Metallschicht zumindest in der Ausnehmung.; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Verfahrenschritt c auf mindestens eine erste Oberfläche der Halbleiterstruktur eine dielektrische Schicht aufgebracht wird, welche dielektrische Schicht in einem an die Ausnehmung unmittelbar angrenzenden lokalen Zusatzöffnungsbereich der ersten Oberfläche vor Verfahrenschritt c wieder entfernt wird oder welche dielektrische Schicht diesen lokalen Zusatzöffnungsbereich aussparend aufgebracht wird und dass in Verfahrensschritt d zusätzlich zumindest auf dem Zusatzöffnungsbereich eine metallische Schicht galvanisch abgeschieden wird, welche metallische Schicht mit der metallischen Schicht der Durchkontaktierung elektrisch leitend verbunden ist.

The invention relates to a method for producing a metal contact structure of a semiconductor structure with a via, having the following method steps: a. providing a semiconductor structure, which is a photovoltaic solar cell or a precursor in the process for producing the photovoltaic solar cell, b. producing at least one recess that penetrates the semiconductor structure, and c. forming a via by means of galvanically depositing at least one metal layer at least in the recess. The invention is characterized in that a dielectric layer is applied onto at least one first surface of the semiconductor structure prior to method step c, wherein the dielectric layer is removed again in an additional local opening region, which directly adjoins the recess, of the first surface prior to method step c or the dielectric layer is applied such that said additional local opening region is omitted. Additionally, a metal layer is galvanically deposited at least on the additional opening region in method step d, said metal layer being connected to the metal layer of the via in an electrically conductive manner.