Verfahren zur Bestimmung der Überschussladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterschicht

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Überschussladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Beaufschlagen der Halbleiterschicht mit Anregungsstrahlung zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Halbleiterschicht und B Messen der Intensität der Lumineszenzstrahlung der Halbleiterschicht mittels eines Detektors.; Wesentlich ist, dass die Verfahrensschritte A und B an einer ersten Messprobe, umfassend eine erste Halbleiterschicht mit einer ersten Schichtdicke D1 zur Messung einer ersten Lumineszenzintensität IM, 1 und zusätzlich mindestens an einer zweiten Messprobe, umfassend eine zweite Halbleiterschicht mit einer zweiten Schichtdicke D2 zur Messung einer zweiten Lumineszenzintensität IM, 2 durchgeführt werden, wobei die Schichtdicken D1 und D2 unterschiedlich sind, die erste und die zweite Halbleiterschicht im Wesentlichen gleiche Überschussladungsträgerlebensdauern und die gleichen Rekombinationseigenschaften an den jeweiligen Oberflächen der Halbleiterschichten aufweisen und die Überschussladungsträgerlebensdauer der Halbeiterschichten durch Vergleich des Verhältnisses der gemessenen Lumineszenzintensitäten mit einem theoretischen Modell bestimmt wird.