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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. Mikrowellenplasmaquelle und Verfahren zur Bildung eines linear langgestreckten Plasma bei Atmosphaerendruckbedingen
 
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Patent
Title

Mikrowellenplasmaquelle und Verfahren zur Bildung eines linear langgestreckten Plasma bei Atmosphaerendruckbedingen

Other Title
Microwave plasma source, has two units externally arranged at two diametrically opposite sides on plasma chamber, where units include magnetrons and slit antennas and magnetrons are operated in alternating pulsed mode
Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft eine Mikrowellenplasmaquelle und ein Verfahren zur Bildung eines linear langgestreckten Plasma bei Atmosphaerendruckbedingungen. Aufgabe der Erfindung ist es, Moeglichkeiten fuer eine grossflaechige Modifizierung von Substratoberflaechen mit einem bei Atmosphaerendruckbedingungen gebildeten Plasma zu schaffen, bei denen konstante Bedingungen ueber die gesamte zu modifizierende Oberflaeche eingehalten werden koennen. Bei einer erfindungsgemaessen Mikrowellenplasmaquelle sind an einer Plasmakammer mindestens eine Plasmaaustrittsduese und mindestens eine Zufuehrung fuer ein Plasmagas vorhanden. An einer Plasmakammer mit nicht rotationssymmetrischem Querschnitt sind mindestens zwei Einheiten, die mit jeweils mindestens einem Magnetron und einer Schlitzantenne gebildet sind, ausserhalb der Plasmakammer an zwei sich diametral gegenueberliegenden Seiten angeordnet. Die Magnetrons sollen alternierend gepulst betrieben werden.

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WO 2010066247 A2 UPAB: 20100712 NOVELTY - The plasma source has a plasma outlet nozzle and an inlet for plasma gas provided at a plasma chamber. Plasma is formed under atmospheric pressure conditions. Two units are externally arranged at two diametrically opposite sides on the plasma chamber with non-rotationally symmetrical cross sections. The units include magnetrons (5.1-5.6) and slit antennas. The magnetrons are operated with a frequency of about 5 Hertz in an alternating pulsed mode. The plasma chamber exhibits a rectangular, square or elongated ellipitical cross-section. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a method for forming linearly extended plasma under atmospheric pressure conditions in a plasma chamber. USE - Microwave plasma source. ADVANTAGE - The plasma source enables large-scale modification of substrate surfaces using the plasma formed under atmospheric pressure conditions, and enables constant conditions to be maintained over an entire surface of each substrate.
Inventor(s)
Roch, J.
Dani, I.
Kaskel, S.
Link to:
Espacenet
Patent Number
102008062619
Publication Date
2008
Language
German
Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS  
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