Verfahren zur Ermittlung einer Dotierungsdichte in einer Halbleiterprobe

Beschrieben wird ein Verfahren zur Ermittlung einer Dotierstoffdichte an einer Oberfläche und/oder in einem oberflächennahen Schichtbereich einer Halbleiterprobe mit einem Rasterkraftmikroskop, dessen Blattfederspitze unter Ausbildung einer Schottky-Barriere in Kontakt mit der Halbleiterprobe gebracht wird, wobei im Bereich der Schottky-Barriere zwischen der Blattfederspitze und der Halbleiterprobe ein elektrisches Wechselpotential derart angelegt wird, dass eine die räumliche Ausdehnung der Schottky-Barriere bestimmende Raumladungszone innerhalb der Halbleiterprobe bezüglich ihrer räumlichen Ausdehnung zu Schwingungen angeregt wird, die auf die Blattfeder übertragen, detektiert und der Ermittlung der Dotierstoffdichte zugrunde gelegt werden.

A method is described for determining a dopant concentration on a surface and/or in layer region lying close to the surface of a semiconductor sample using an atomic force microscope, whose leaf-spring tip is brought into contact with the semiconductor sample, forming a Schottky barrier, wherein an electric alternating potential is applied between the spring-leaf tip and the semiconductor sample in the region of the Schottky barrier in such a way that a space charge region inside the semiconductor sample defining the three-dimensional extension of the Schottky barrier is excited and begins to oscillate within the confines of its spatial extension, said oscillations are transmitted to the leaf-spring, are detected and form the basis for determining the dopant concentration.