Halbleiterlaser und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterlasers

(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser, umfassend einen als DFB-Laser ausgefuehrten aktiven Bereich (1) sowie einen mit dem aktiven Bereich (1) optischen gekoppelten passiven Resonatorabschnitt (2), wobei der aktive Bereich (1) neben einem ersten Abschnitt (7) mit einem Bragg-Gitter einen zweiten Abschnitt (8) mit einem vom ersten Bragg-Gitter verschiedenen zweiten Bragg-Gitter aufweist und wobei sich die beiden Bragg-Gitter so voneinander unterscheiden, dass sich eine und nur eine von Hauptmoden eines DFB-Modenspektrums des ersten Abschnitts (7) mit einer von zwei Hauptmoden eines DFB-Modenspektrums des zweiten Abschnitts (8) ueberlappt. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben eines derartigen Halbleiterlasers.

WO 2009036904 A1 UPAB: 20090409 NOVELTY - The semiconductor laser has an active region (1) which is designed as a distributed feedback laser (DFB) laser, and a passive resonator section (2), which is optically coupled to the active region. The active region has two sections (7,8) with two Bragg gratings, where the latter Bragg grating differs from the former Bragg grating. The two Bragg gratings differ from one another such that one and only one main mode of a DFB mode spectrum of the former section overlaps with one of the two main modes of a DFB mode spectrum of the latter section. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for a method for operating a semiconductor laser. USE - Semiconductor laser. ADVANTAGE - The semiconductor laser has an active region which is designed as a distributed feedback laser, and a passive resonator section, which is optically coupled to the active region, and hence enables very high frequency modulation of laser radiation.