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Fraunhofer-Gesellschaft
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Patent
Title

Verfahren zur Herstellung eines Duennschichtsystems

Other Title
Production of a thin layer system comprises introducing power into the plasma in the form of a controlled number of pulses during deposition of extremely thin layers; and adjusting the average power during the pulse-one time.
Abstract
Dieses Verfahren betrifft die Herstellung eines Duennschichtsystems, welches mindestens eine extrem duenne Schicht, vorzugsweise im Schichtdickenbereich von 1 bis 10 nm, enthaelt, die durch plasmagestuetzte chemische oder physikalische Dampfphasenabscheidung unter Verwendung von Magnetronentladungen abgeschieden wird. Gekennzeichnet wird es dadurch, dass bei der Abscheidung dieser extrem duennen Schicht die Leistung in das Plasma in Form einer kontrollierten Anzahl von Leistungspulsen zugefuehrt wird und dass die mittlere Leistung waehrend der Puls-Ein-Zeit mindestens um den Faktor 3 hoeher als die ueber die gesamte Beschichtungszeit waehrend der Abscheidung der extrem duennen Schicht gemittelte Leistung eingestellt wird.

; 

DE 10051509 A UPAB: 20020815 NOVELTY - Production of a thin layer system comprises introducing power into the plasma in the form of a controlled number of pulses during deposition of extremely thin layers; and adjusting the average power during the pulse-one time by three times the power averaged over the whole coating time during the deposition of the layer. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The average power during the pulse-one time is adjusted by ten times the power averaged over the whole coating time during the deposition of the layer. The power is periodically or aperiodically introduced into the plasma in the form of a controlled number of pulses. USE - Used in the production of magnetic layer systems (claimed), e.g. for storage media, and flat TV screens. ADVANTAGE - The layer system is reproducible.
Inventor(s)
Winkler, T.
Goedicke, K.
Bluethner, R.
Junghaehnel, M.
Buchberger, H.
Mueller, M.
Hebgen, A.
Schneider, H.
Link to:
Espacenet
Patent Number
2000-10051509
Publication Date
2007
Language
German
Fraunhofer-Institut für Organische Elektronik, Elektronenstrahl- und Plasmatechnik FEP  
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