Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigem Material bestehenden Flaechensubstrats

Beschrieben wird ein Verfahren zur Strukturierung eines aus glasartigem Material bestehenden Flaechensubstrats. Das erfindungsgemaesse Verfahren zeichnet sich durch die Kombination der folgenden Verfahrensschritte aus: - Bereitstellen eines aus einem Halbleitermaterial bestehenden Halbleiter-Flaechensubstrats, - Strukturieren mindestens einer Oberflaeche des Halbleiter- Flaechensubstrats zum Erhalt von Vertiefungen auf der Oberflaeche, - Verbinden der Oberflaeche des Halbleiter-Flaechensubstrats mit dem glasartigen Flaechensubstrat, wobei die strukturierte Oberflaeche des Halbleiter-Flaechensubstrats mit einer Oberflaeche des glasartigen Flaechensubstrats mindestens teilweise ueberdeckend zusammengefuehrt wird, - Tempern der verbundenen Flaechensubstrate, derart, dass ein Hineinfliessen wenigstens von Teilbereichen des glasartigen Materials in die Vertiefungen der strukturierten Oberflaeche des Halbleiter- Flaechensubstrats erfolgt, - Materialabtrag zumindest des wiederverfestigten glasartigen Flaechensubstrats, derart, dass das glasartige Flaechensubstrat eine buendig zur strukturierten Oberflaeche des Halbleiter-Flaechensubstrats anschliessende Oberflaeche annimmt.

WO 200273684 A UPAB: 20021031 NOVELTY - Structuring a flat substrate made from a glass-like material comprises preparing a semiconductor flat substrate; structuring at least one surface of the substrate to form recesses in the surface; joining the surface of the semiconductor flat substrate with the glass-like substrate; tempering so that partial areas of the glass-like material are cast in the recesses in the structured surface of the semiconductor flat substrate; and removing material from the re-solidified glass-like flat substrate so that the substrate receives a surface connected to the structured surface of the semiconductor flat substrate in a flush manner. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: The semiconductor flat substrate is removed from the glass-like flat substrate by etching the semiconductor material. USE - For electrically contacting components in microelectronics or micromechanics (claimed). ADVANTAGE - The process is precise and economical.