Verfahren zur Stabilisierung von Sputterprozessen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung von gekoppelten DC-, MF- oder RF-angeregten reaktiven Sputterprozessen mit verschiedenen Targets A, B..., die ueber den Reaktivgaspartialdruck gekoppelt sind, wobei eine Messung des Reaktivgaspartialdruckes und der Entladungsparameter vorgenommen wird und aufgrund der Messresultate eine Regelung der Entladungsstroeme oder des Reaktivgasflusses durchgefuehrt wird.

DE 10119834 A UPAB: 20030303 NOVELTY - Stabilizing coupled DC-, MF- or RF-excited reactive sputtering processes with different targets comprises measuring the reactive gas partial pressure and the discharge parameter; and regulating the discharge streams or the reactive gas flow based on the results. DETAILED DESCRIPTION - Preferred Features: A lambda probe is used for measuring the reactive gas partial pressure. The reactive sputtering process is stabilized in the region of unstable working points. Different materials are used for the targets of the partial processes. USE - Used in magnetron sputtering for coating substrates. ADVANTAGE - The process is effective.