Auflage fuer Halbleitersubstrate bei Einseiten-Plasma-Prozessen

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Auflage fuer Halbleitersubstrate bei Einseiten-Plasma-Prozessen. Die Auflage besteht aus einem Grundkoerper, der an einer Oberseite zumindest eine Auflageflaeche fuer ein Substrat aufweist, die eine Vertiefung im Grundkoerper umschliesst. Die Verteifung ist derart dimensioniert, dass eine aufgebrachtes Substrat nur an seinem Rand auf der Auflageflaeche aufliegt und mit der Vertiefung einen Hohlraum geringer Tiefe bildet, in dem die Bedingungen fuer die Zuendung eines parasitaeren Plasmas waehrend der Durchfuehrung der Einseiten-Plasma-Prozesse nicht erreicht werden. Mit dem Einsatz der Auflage bei Einseiten-Plasma-Prozessen werden die Gefahr einer Kontaktkontamination des Substrates sowie der nachfolgende Reinigungsaufwand erheblich verringert.

DE 10104052 A UPAB: 20021031 NOVELTY - The support has a base body (1) provided on its upper side with one or more support surfaces for a semiconductor substrate (5), each enclosing a recess formed in the surface of the base body, sized so that the semiconductor substrate is only supported around its peripheral edge. The hollow space defined between the base of the recess and the semiconductor substrate has a depth which is insufficient for ignition of a parasitic plasma during the one-sided plasma process. USE - The support is used for supporting at least one semiconductor substrate during a one-sided plasma process, e.g. plasma etching, plasma deposition or plasma cleaning. ADVANTAGE - The rear side of the semiconductor substrate is protected from contamination.